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| 数据手册 | MG12150S-BN2MM 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Bulk |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 封装 / 箱体 | Package S |
| 配置 | Dual |
| Pd-功率耗散 | 625 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.7 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 200 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 400 nA |
库存：55,440
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥560.8877
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥560.8877 | ￥560.8877 |
| 5+ | ￥536.3495 | ￥2,681.7475 |
| 10+ | ￥525.8168 | ￥5,258.1680 |
| 25+ | ￥508.2769 | ￥12,706.9225 |
| 50+ | ￥501.2169 | ￥25,060.8450 |
| 100+ | ￥500.9084 | ￥50,090.8400 |
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