文档与媒体
| 数据手册 | IXXN110N65C4H1 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-227B-4 |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| Pd-功率耗散 | 750 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.98 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 210 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：57,430
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥148.0928
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥148.0928 | ￥148.0928 |
| 5+ | ￥141.0240 | ￥705.1200 |
| 10+ | ￥136.9343 | ￥1,369.3430 |
| 25+ | ￥125.8463 | ￥3,146.1575 |
| 50+ | ￥120.5755 | ￥6,028.7750 |
| 100+ | ￥116.9265 | ￥11,692.6500 |
| 200+ | ￥107.3193 | ￥21,463.8600 |
| 500+ | ￥99.9419 | ￥49,970.9500 |
申请更低价? 请联系客服
