ZTX658QSTZ
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor
- 制造商：
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
- 无铅情况/RoHS：
- 否
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | ZTX658QSTZ 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 封装 / 箱体 | TO-92-3 |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 400 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极—基极电压 VCBO | 400 V |
| 发射极 - 基极电压 VEBO | 5 V |
| 最大直流电集电极电流 | 500 mA |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
库存：51,469
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 2000
- 参考单价：
- ￥2.6001
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 2,000+ | ￥2.6001 | ￥5,200.2000 |
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