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    BUT11AFTU

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 BUT11AFTU 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    安装风格 Through Hole
    系列 BUT11AF
    封装 Tube
    最小工作温度 - 65 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-220-3
    配置 Single
    Pd-功率耗散 40000 mW
    集电极—发射极最大电压 VCEO 450 V
    集电极—射极饱和电压 1.5 V
    晶体管极性 NPN
    集电极—基极电压 VCBO 1 kV
    发射极 - 基极电压 VEBO 9 V
    最大直流电集电极电流 5 A

    库存:51,966

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥8.4879
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥8.4879 ¥8.4879
    10+ ¥7.2539 ¥72.5390
    100+ ¥5.4382 ¥543.8200
    250+ ¥5.2796 ¥1,319.9000
    500+ ¥4.6097 ¥2,304.8500
    1,000+ ¥3.7548 ¥3,754.8000
    2,000+ ¥3.7019 ¥7,403.8000

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