2N5550TAR
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
- 产品类别
- 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | 2N5550TAR 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
安装风格 | Through Hole |
系列 | 2N5550 |
封装 | Ammo Pack |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-92-3 Kinked Lead |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 625 mW |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 140 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
晶体管极性 | NPN |
集电极—基极电压 VCBO | 160 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 6 V |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
库存:54,308
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥1.3045
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥1.3045 | ¥1.3045 |
10+ | ¥0.8902 | ¥8.9020 |
100+ | ¥0.3596 | ¥35.9600 |
1,000+ | ¥0.2477 | ¥247.7000 |
2,000+ | ¥0.1983 | ¥396.6000 |
10,000+ | ¥0.1675 | ¥1,675.0000 |
24,000+ | ¥0.1613 | ¥3,871.2000 |
50,000+ | ¥0.1490 | ¥7,450.0000 |
100,000+ | ¥0.1366 | ¥13,660.0000 |
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