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    2N5550TAR

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    安装风格 Through Hole
    系列 2N5550
    封装 Ammo Pack
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-92-3 Kinked Lead
    配置 Single
    Pd-功率耗散 625 mW
    集电极—发射极最大电压 VCEO 140 V
    集电极—射极饱和电压 0.25 V
    晶体管极性 NPN
    集电极—基极电压 VCBO 160 V
    发射极 - 基极电压 VEBO 6 V
    最大直流电集电极电流 0.6 A
    增益带宽产品fT 300 MHz

    库存:54,308

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥1.3045
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥1.3045 ¥1.3045
    10+ ¥0.8902 ¥8.9020
    100+ ¥0.3596 ¥35.9600
    1,000+ ¥0.2477 ¥247.7000
    2,000+ ¥0.1983 ¥396.6000
    10,000+ ¥0.1675 ¥1,675.0000
    24,000+ ¥0.1613 ¥3,871.2000
    50,000+ ¥0.1490 ¥7,450.0000
    100,000+ ¥0.1366 ¥13,660.0000

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