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    2N5551BU

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose

    制造商:
    ON Semiconductor / Fairchild
    产品类别
    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    安装风格 Through Hole
    系列 2N5551
    封装 Bulk
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-92-3
    配置 Single
    Pd-功率耗散 625 mW
    集电极—发射极最大电压 VCEO 160 V
    集电极—射极饱和电压 0.2 V
    晶体管极性 NPN
    集电极—基极电压 VCBO 180 V
    发射极 - 基极电压 VEBO 6 V
    最大直流电集电极电流 0.6 A
    增益带宽产品fT 300 MHz

    库存:52,464

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥1.7364
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥1.7364 ¥1.7364
    10+ ¥1.1811 ¥11.8110
    100+ ¥0.4768 ¥47.6800
    1,000+ ¥0.3349 ¥334.9000
    2,500+ ¥0.2662 ¥665.5000
    10,000+ ¥0.2230 ¥2,230.0000
    25,000+ ¥0.2168 ¥5,420.0000
    50,000+ ¥0.1921 ¥9,605.0000
    100,000+ ¥0.1860 ¥18,600.0000

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