ZXTN2010ZQTA
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
- 制造商:
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
- 无铅情况/RoHS:
- 否
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | ZXTN2010ZQTA 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) |
安装风格 | SMD/SMT |
系列 | ZXTN2010 |
封装 | Cut Tape, Reel |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
集电极—发射极最大电压 VCEO | 80 V |
集电极—射极饱和电压 | 230 mV |
晶体管极性 | NPN |
集电极—基极电压 VCBO | 190 V |
发射极 - 基极电压 VEBO | 8.1 V |
最大直流电集电极电流 | 20 A |
增益带宽产品fT | 130 MHz |
库存:53,831
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥6.0728
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥6.0728 | ¥6.0728 |
10+ | ¥5.2091 | ¥52.0910 |
100+ | ¥4.0016 | ¥400.1600 |
500+ | ¥3.5344 | ¥1,767.2000 |
1,000+ | ¥2.7852 | ¥2,785.2000 |
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