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    ZXTN2010ZQTA

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor

    制造商:
    Diodes Incorporated
    产品类别
    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    无铅情况/RoHS:
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
    安装风格 SMD/SMT
    系列 ZXTN2010
    封装 Cut Tape, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    配置 Single
    Pd-功率耗散 1.5 W
    集电极—发射极最大电压 VCEO 80 V
    集电极—射极饱和电压 230 mV
    晶体管极性 NPN
    集电极—基极电压 VCBO 190 V
    发射极 - 基极电压 VEBO 8.1 V
    最大直流电集电极电流 20 A
    增益带宽产品fT 130 MHz

    库存:53,831

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥6.0728
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥6.0728 ¥6.0728
    10+ ¥5.2091 ¥52.0910
    100+ ¥4.0016 ¥400.1600
    500+ ¥3.5344 ¥1,767.2000
    1,000+ ¥2.7852 ¥2,785.2000

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