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| 数据手册 | 4N35M 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 输出类型 | NPN Phototransistor |
| 系列 | 4N35M |
| 封装 | Bulk |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| 封装 / 箱体 | PDIP-6 |
| 绝缘电压 | 7500 Vrms |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vf - 正向电压 | 1.5 V |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| If - 正向电流 | 60 mA |
| Vr - 反向电压 | 6 V |
| 最大集电极/发射极电压 | 30 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.3 V |
库存：57,894
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.4110
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.4110 | ￥3.4110 |
| 10+ | ￥2.6354 | ￥26.3540 |
| 100+ | ￥1.4543 | ￥145.4300 |
| 1,000+ | ￥1.1194 | ￥1,119.4000 |
| 2,000+ | ￥0.9519 | ￥1,903.8000 |
| 10,000+ | ￥0.9078 | ￥9,078.0000 |
| 25,000+ | ￥0.8990 | ￥22,475.0000 |
| 50,000+ | ￥0.8611 | ￥43,055.0000 |
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