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| 数据手册 | VEMT2000X01 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 光电晶体管 |
| 产品 | Phototransistors |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 系列 | VEMT |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 100 C |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| 峰值波长 | 860 nm |
| 暗电流 | 100 nA |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 20 V |
| 集电极—射极击穿电压 | 20 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
库存：58,327
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥5.2091
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.2091 | ￥5.2091 |
| 10+ | ￥4.7684 | ￥47.6840 |
| 100+ | ￥3.2876 | ￥328.7600 |
| 1,000+ | ￥3.1025 | ￥3,102.5000 |
| 6,000+ | ￥1.6923 | ￥10,153.8000 |
| 12,000+ | ￥1.6394 | ￥19,672.8000 |
| 24,000+ | ￥1.5777 | ￥37,864.8000 |
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